Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
For serving as ideal switching devices in future energy-efficient applications, scaling down the channel lengths of Tunnel-Field Effect Transistors (TFETs) is essential to follow the pace of Si-based CMOS technologies. This work elucidates the short-channel mechanisms and the role of the drain in ex...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Journal article |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2023
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2082 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
كن أول من يترك تعليقا!