Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
This study investigates, by a two-dimensional simulation, the design optimization of a proposed 8 nm tunnel field-effect transistor (TFET) for low standby power (LSTP) applications utilizing graded Si/SiGe heterojunction with device parameters based on the ITRS specifications. The source Ge mole fra...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Publishing House for Science and Technology, Vietnam Academy of Science and Technology
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3294 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|