Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Tunnel field-effect transistor (TFET) has recently been considered as a promising candidate for low-power integrated circuits. In this paper, we present an adequate examination on the roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body TFETs. It is shown that the short-channel perf...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2076 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|