Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
For serving as ideal switching devices in future energy-efficient applications, scaling down the channel lengths of Tunnel-Field Effect Transistors (TFETs) is essential to follow the pace of Si-based CMOS technologies. This work elucidates the short-channel mechanisms and the role of the drain in ex...
Gardado en:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Formato: | Journal article |
| Idioma: | English |
| Publicado: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2082 |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Sexa o primeiro en deixar un comentario!