Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
The source doping engineering, the low bandgap material and the vertical tunneling structure have recently been considered as most effective techniques to resolve the on-current issue in tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, the effects of source doping profile, including the conce...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2083 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!