Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Gorde:
| Egile Nagusiak: | , , |
|---|---|
| Formatua: | Conference paper |
| Hizkuntza: | English |
| Argitaratua: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Izan zaitez lehena ohar bat uzten!