Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)