Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Tallennettuna:
| Päätekijät: | , , |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Conference paper |
| Kieli: | English |
| Julkaistu: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Lisää ensimmäinen kommentti!