Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Salvato in:
| Autori principali: | , , |
|---|---|
| Natura: | Conference paper |
| Lingua: | English |
| Pubblicazione: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Lascia un commento!