Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , |
|---|---|
| Формат: | Conference paper |
| Язык: | English |
| Опубликовано: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ваш комментарий будет первым!