Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| 格式: | Conference paper |
| 語言: | English |
| 出版: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|