Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

Mã QR

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

Scaling down the body thickness (Tb) of double-gate tunnel field-effect transistors (DG-TFETs) is helpful in suppressing short-channel effects (SCEs), but it may give rise to thin-body effects (TBEs). Based on 2-D device simulations, this study examines the mechanisms and influences of TBEs in DG-TF...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IOP Publishing 2024
Những chủ đề:	Thin-body effect double-gate band-to-band tunneling tunnel field-effect transistor
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3287
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

Scanning Tunneling Spectroscopy of Magnetic Bulk Impurities: From a Single Kondo Atom Towards a Coupled System
Bỡi: Prüser, Henning
Được phát hành: (2016)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.

Design, Synthesis, and Structure-Property Relationship Study of Polymer Field-Effect Transistors
Bỡi: Lei, Ting
Được phát hành: (2015)

Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /

DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Short-Channel Organic Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration
Bỡi: Zaki, Tarek
Được phát hành: (2015)

Tunneling Dynamics in Open Ultracold Bosonic Systems: Numerically Exact Dynamics – Analytical Models – Control Schemes
Bỡi: Lode, Axel U. J
Được phát hành: (2016)

Thiết kế hầm giao thông
Bỡi: Nguyễn, Thế Phùng
Được phát hành: (2008)

Analysis of NAD+/NADH cofactors by imprinted polymer membranes associated with ion-sensitive field-effect transistor devices and au-quartz crystals /

Hoàng Mai Lưu và các ca khúc trong phong trào âm nhạc cách mạng
Bỡi: Huỳnh, Văn Tiểng
Được phát hành: (2002)

Music from behind the bridge
Bỡi: Dudley, Shannon
Được phát hành: (2008)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
Bỡi: Olson, Joel A.

Direct observation of chiral oligo(p-phenylenevinylene)s with scanning tunneling microscopy /

Materials for magnetoresistive random access memory /
Bỡi: Slaughter, J. M.

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024)