Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

Scaling down the body thickness (Tb) of double-gate tunnel field-effect transistors (DG-TFETs) is helpful in suppressing short-channel effects (SCEs), but it may give rise to thin-body effects (TBEs). Based on 2-D device simulations, this study examines the mechanisms and influences of TBEs in DG-TF...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Nguyễn, Đăng Chiến, Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih
বিন্যাস:	Journal article
ভাষা:	English
প্রকাশিত:	IOP Publishing 2024
বিষয়গুলি:	Thin-body effect double-gate band-to-band tunneling tunnel field-effect transistor
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3287
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

অনুরূপ উপাদানগুলি