On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
This work explores the limitation of high-k gate insulator on improving the driving currents of MOSFET devices. The use of high-k gate dielectric prevents from the gate tunneling current to have an acceptable equivalent oxide thickness (EOT) in scaled MOSFETs. However, the effectiveness of continued...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Chun-Hsing Shih, Jhong-Sheng Wang, Nguyễn, Đăng Chiến, Ruei-Kai Shia |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Elsevier
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3296 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
High-k/metal gate science and technology /
Bỡi: Guha, Supratik.