Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
The energy bandgap is a key factor to determine the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper numerically investigates the effect of quantum confinement in the double-gate TFETs by evaluating the effective energy-band bandgap of the ultra-thin strained-Si1-xGex body....
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference paper |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
IEEE Publishing
2024
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3308 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|