Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
The energy bandgap is a key factor to determine the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper numerically investigates the effect of quantum confinement in the double-gate TFETs by evaluating the effective energy-band bandgap of the ultra-thin strained-Si1-xGex body....
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3308 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024) -
Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)