Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors

The energy bandgap is a key factor to determine the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper numerically investigates the effect of quantum confinement in the double-gate TFETs by evaluating the effective energy-band bandgap of the ultra-thin strained-Si1-xGex body....

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien
Định dạng: Conference paper
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3308
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự