MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga&(CH2)3NR2;, R= Me, Et, as a single molecule precursor : Morphology control and materials characterization /
Tallennettuna:
| Muut tekijät: | , , , , , , |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|