Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain

Bỡi Jui-Kai Hsia, Chun-Hsing Shih, Ting-Shiuan Kang, Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Van Kien
Được phát hành 2024

Improving the electrical properties of probe tip using gold recoating

Bỡi Hsiang-Hua Bai, Chun-Hsing Shih, Ming-Kun Huang, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs

Bỡi Chun-Hsing Shih, Shao-Hui Yang, Ruei-Kai Shia, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien, Jui-Kai Hsia, Ting-Shiuan Kang, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Van Hao, Lê, Văn Tùng, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Yu-Hsuan Chen, Nguyen Thi Thu
Được phát hành 2024

Giới hạn của bề dày thân và chiều dài chồng phủ cổng-nguồn trong transistor trường xuyên hầm đường

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyễn Thị Hồng Hạnh, Dương Thị Thanh Hiên, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien
Được phát hành 2024

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Hoang Sy Duc, Chun-Hsing Shih, Dinh Sy Hien
Được phát hành 2024