Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
Tunnel field-effect transistor (TFET) has served as one of the most attractive candidates for use in future low-power integrated circuits. To explore the current-voltage characteristics of TFET devices, the Kane’s tunnel model has been widely used in numerical simulations and physical models to pred...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3306 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|