Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Hoang Sy Duc
Được phát hành 2024

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors

Bỡi Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2024

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Bui Huu Thai, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Hoang Sy Duc, Chun-Hsing Shih, Dinh Sy Hien
Được phát hành 2024

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến, Trần, Hữu Duy, Phan, Văn Chuân
Được phát hành 2024

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Huynh Thi Hong Tham, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Van Hao, Lê, Văn Tùng, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Huynh Thi Hong Tham, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2023

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors

Bỡi Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Chun-Hsing Shih
Được phát hành 2024

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors

Bỡi Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Được phát hành 2023