Relationship between secondary electrom emissions and film thickness of hydrogenated amorphous silicon /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả khác: Chu, Byung-Yoon., Han, Byoung-Sung., Ko, Seok-Cheol., Yang, Sung-Chae.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00973nam a2200301 4500
001 DLU090078971
005 ##20090619
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a KR 
245 # # |a Relationship between secondary electrom emissions and film thickness of hydrogenated amorphous silicon /  |c Sung-Chae Yang, Byung-Yoon Chu, Seok-Cheol Ko, Byoung-Sung Han. 
653 # # |a Hydrogenated amorphous silicon 
653 # # |a Paschen's law 
653 # # |a Spectroscopy 
700 # # |a Chu, Byung-Yoon.  
700 # # |a Han, Byoung-Sung.  
700 # # |a Ko, Seok-Cheol.  
700 # # |a Yang, Sung-Chae.  
773 # # |t Electrophysics and Applications  |g Vol. 4-C, no. 4 (2004), p. 185-189  
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt