Relationship between secondary electrom emissions and film thickness of hydrogenated amorphous silicon /
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | Chu, Byung-Yoon., Han, Byoung-Sung., Ko, Seok-Cheol., Yang, Sung-Chae. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Amorphous silicon and related materials
Bỡi: Fritzsche, Hellmut
Được phát hành: (1989) -
Amorphization of silicon by 250 keV electron irradiation and hydrogen annealing /
Bỡi: Jo, Jung-Yol. - Multimode detection of hydrogen gas using palladium-covered silicon micro-channels /
- On the effect of the amorphous silicon microstructure on the grain size of solid phase crystallized polycrystalline silicon /
-
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
Bỡi: Yu, George C.