AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Nguyen Quy Tuan |
|---|---|
| اللغة: | eng |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
مواد مشابهة
-
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
بواسطة: Than, Hong Phuc, وآخرون
منشور في: (2022) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
بواسطة: Than, Hong Phuc, وآخرون
منشور في: (2022) - Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
بواسطة: Phạm, Thị Thúy Oanh
منشور في: (2014) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
بواسطة: Đặng, Hồng Cám
منشور في: (2012)