AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators

Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Nguyen Quy Tuan
Язык:eng
Online-ссылка:https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng

Схожие документы