AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...
Сохранить в:
| Главный автор: | Nguyen Quy Tuan |
|---|---|
| Язык: | eng |
| Online-ссылка: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Схожие документы
-
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
по: Than, Hong Phuc, et al.
Опубликовано: (2022) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
по: Than, Hong Phuc, et al.
Опубликовано: (2022) - Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
по: Phạm, Thị Thúy Oanh
Опубликовано: (2014) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
по: Đặng, Hồng Cám
Опубликовано: (2012)