AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...
Kaydedildi:
| Yazar: | Nguyen Quy Tuan |
|---|---|
| Dil: | eng |
| Online Erişim: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
Benzer Materyaller
-
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Yazar:: Than, Hong Phuc, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
Yazar:: Than, Hong Phuc, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022) - Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /
-
Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
Yazar:: Phạm, Thị Thúy Oanh
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Yazar:: Đặng, Hồng Cám
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)