Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
The heterojunction technique has recently been considered as an effective approach to simultaneously achieve a high on-current and low ambipolar off-leakage in tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, we propose the various configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions f...
Gardado en:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Formato: | Journal article |
| Idioma: | English |
| Publicado: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2079 |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Sexa o primeiro en deixar un comentario!