Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions

Mã QR

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions

The heterojunction technique has recently been considered as an effective approach to simultaneously achieve a high on-current and low ambipolar off-leakage in tunnel field-effect transistors (TFETs). In this paper, we propose the various configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions f...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2023
Những chủ đề:	Short-channel effect silicon-germanium heterojunction technique sub-10-nm transistor tunnel field-effect transistor (TFET)
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2079
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design, Synthesis, and Structure-Property Relationship Study of Polymer Field-Effect Transistors
Bỡi: Lei, Ting
Được phát hành: (2015)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Silicon germanium :
Bỡi: Singh, Raminderpal
Được phát hành: (2004)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Analysis of NAD+/NADH cofactors by imprinted polymer membranes associated with ion-sensitive field-effect transistor devices and au-quartz crystals /

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Scanning Tunneling Spectroscopy of Magnetic Bulk Impurities: From a Single Kondo Atom Towards a Coupled System
Bỡi: Prüser, Henning
Được phát hành: (2016)

Effect of silicon on the growth of rice grown on four soils in VietNam
Bỡi: Hồ Hữu Đắc
Được phát hành: (1974)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Transistors
Bỡi: Gillie, A. C.
Được phát hành: (1959)

Transistor physics and circuits
Được phát hành: (1958)

Transistor technology
Bỡi: Biondi, F.J.
Được phát hành: (1957)

ドキュメント　日本の半導体開発：超LSIへの道を拓いた男たちー「付」図解・でれにでもわかる半導体の話、半導体開発史年表
Bỡi: 中川靖造
Được phát hành: (1982)

RADIO ?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1984)

MOSFET theory and design
Bỡi: Warner Jr, R. M.
Được phát hành: (1999)

Transistor audio amplifiers
Bỡi: Jones, Dwight V.
Được phát hành: (1968)

Heavy cyclopropenes of Si, Ge, SnA new challenge in the chemistry of group 14 elements /
Bỡi: Sekiguchi, Akira.

Mạch điện tử transistor
Bỡi: Phạm Hữu Hiệp
Được phát hành: (1970)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Phân tích mạch transistor :
Bỡi: Đỗ, Thanh Hải
Được phát hành: (2002)