Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
The two-band Kane model has been popularly used to calculate the band-to-band tunneling (BTBT) current in tunnel field-effect transistor (TFET) which is currently considered as a promising candidate for low power applications. This study theoretically clarifies the maximum electric field approximati...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal Article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2080 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|