Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
The two-band Kane model has been popularly used to calculate the band-to-band tunneling (BTBT) current in tunnel field-effect transistor (TFET) which is currently considered as a promising candidate for low power applications. This study theoretically clarifies the maximum electric field approximati...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Phù, Chí Hòa, Nguyen Hong Minh, Dương, Thị Thanh Hiên, Le Hong Nhung |
---|---|
Định dạng: | Journal Article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2023
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2080 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)