Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Tunnel field effect transistors (TFETs) exhibit a potential candidate for ultra-low power integrated circuits because the conduction mechanism of band-to-band tunneling (BTBT) allows their subthreshold swing less than the thermal limit of 60 mV/decade at room temperature. Like conventional MOSFETs,...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Conference paper |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
Nhà xuất bản Bách Khoa Hà Nội
2024
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3286 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!