Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
The hetero-gate dielectric (HGD) structure was recently experimentally demonstrated to enhance the electrical performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examined the mechanisms underlying the HGD structure functioning and investigated the design of the structure to enhance th...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Springer Nature
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3290 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!