Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios

Mã QR

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios

The hetero-gate dielectric (HGD) structure was recently experimentally demonstrated to enhance the electrical performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examined the mechanisms underlying the HGD structure functioning and investigated the design of the structure to enhance th...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến, Trần, Hữu Duy, Phan, Văn Chuân
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Springer Nature 2024
Những chủ đề:	Hetero-gate dielectric High-k gate dielectric Band-to-band tunneling Tunnel field-effect transistor
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3290
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Dependence of ozone generation in a micro dielectric barrier discharge on dielectric material and micro gap length /
Bỡi: Sakoda, Tatsuya.

Porous pSiCOH ultralow-k dielectrics for chip interconnects prepared by PECVD /
Bỡi: Grill, Alfred.

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2021)

Bill Gates con đường đến tương lai /
Bỡi: Gatlin Jonathan
Được phát hành: (2001)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Application of dielectric spectroscopy measurements for estimating moisture content in power transformers /
Bỡi: Ekanayake, Chandima.

Con đường đi đến xa lộ thông tin của Bill Gates
Được phát hành: (1996)

Bill Gates & Microsoft
Được phát hành: (1990)

Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.

Thiết kế hầm giao thông
Bỡi: Nguyễn, Thế Phùng
Được phát hành: (2008)

Bí quyết kinh doanh những doanh nhân hàng đầu thế giới Bill Gates và Microsoft
Bỡi: Marshall, David
Được phát hành: (1999)

Hoàng Mai Lưu và các ca khúc trong phong trào âm nhạc cách mạng
Bỡi: Huỳnh, Văn Tiểng
Được phát hành: (2002)

High-k/metal gate science and technology /
Bỡi: Guha, Supratik.

Thin-film organic electronic devices /
Bỡi: Katz, Howard E.

Dùng phần mềm Matlab tính hệ số phản xạ của màng điện môi đa lớp :
Bỡi: Khổng, Như Phương
Được phát hành: (2013)

Music from behind the bridge
Bỡi: Dudley, Shannon
Được phát hành: (2008)

Scanning tunneling microscopy with chemically modified gold tips : In situ reestablishment of chemical contrast /
Bỡi: Olson, Joel A.

Direct observation of chiral oligo(p-phenylenevinylene)s with scanning tunneling microscopy /