Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios

The hetero-gate dielectric (HGD) structure was recently experimentally demonstrated to enhance the electrical performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examined the mechanisms underlying the HGD structure functioning and investigated the design of the structure to enhance th...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến, Trần, Hữu Duy, Phan, Văn Chuân
التنسيق: Journal article
اللغة:English
منشور في: Springer Nature 2024
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3290
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt