Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
The hetero-gate dielectric (HGD) structure was recently experimentally demonstrated to enhance the electrical performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examined the mechanisms underlying the HGD structure functioning and investigated the design of the structure to enhance th...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Journal article |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Springer Nature
2024
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3290 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|