Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
The hetero-gate dielectric (HGD) structure was recently experimentally demonstrated to enhance the electrical performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examined the mechanisms underlying the HGD structure functioning and investigated the design of the structure to enhance th...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | , , , |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
Springer Nature
2024
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3290 |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|