Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors

Mã QR

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors

Low-bandgap semiconductors, such as InAs and InSb, are widely considered to be ideal for use in tunnel field-effect transistors to ensure sufficient on-current boosting at low voltages. This work elucidates the physical and mathematical considerations of applying conventional band-to-band tunneling...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	AIP Publishing 2024
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3292
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Optical properties and band structure of semiconductors
Bỡi: Greenaway, David L.
Được phát hành: (1968)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Band theory and electronic properties of solids
Bỡi: Singleton, John
Được phát hành: (2001)

Creating the band
Bỡi: Kane, Beth
Được phát hành: (2006)

Creating the band
Bỡi: Beth Kane
Được phát hành: (2006)

And the band played on
Bỡi: Shilts, Randy
Được phát hành: (1988)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Battle of the band names
Bỡi: Bull, Bart
Được phát hành: (2009)

Battle of the band names :
Bỡi: Bull, Bart
Được phát hành: (2009)

The Band Directors Guide /
Bỡi: L.Neidig Kenneth
Được phát hành: (1968)

Target band IELTS 7 :
Bỡi: Braverman, Simone
Được phát hành: (2013)

Photoelectric properties and applications of low-mobility semiconductors /
Bỡi: Konenkamp, Rolf, 1954-
Được phát hành: (2000)

Tunnel-diode and semiconductor circuits
Bỡi: Carroll, John M.
Được phát hành: (1963)

Battle of the Band Names: The Best and Worst Band Names Ever (and All the Brilliant, Colorful, Stupid Ones in Between) /
Bỡi: Bull Bart
Được phát hành: (2009)

IELTS sure success for 7 + band
Bỡi: Khurram Kayani, et al.
Được phát hành: (2018)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Application of the collective model to determine some vibrational bands of 140La nucleus /

Broad-band cavity ring-down spectroscopy /
Bỡi: Ball, Stephen M.

Mizrahi subaltern counterpoints : Sderot's alternative bands /
Bỡi: Saada-Ophir, Galit.

Complete IELTS, Bands 5-6.5
Bỡi: Brook-Hart, Guy
Được phát hành: (2012)

華語文能力測驗模擬試題3:入門基礎(Band A) TOCFL listening, reading 3 (Band A)
Được phát hành: (2017)

華語文能力測驗模擬試題2:入門基礎(Band A) TOCFL listening, reading 2 (Band A)
Được phát hành: (2017)

The properties, physics, and design of semiconductor devices
Bỡi: Shive, John N.
Được phát hành: (1959)

TOCFL listening, reading 3 (Band B) 華語文能力測驗模擬試題3:進階高階(Band B)
Được phát hành: (2017)

華語文能力測驗模擬試題2:進階高階(Band B) TOCFL listening, reading 2 (Band B)
Được phát hành: (2017)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)