Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator

Mã QR

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator

As the MOSFET devices scale into nanoscale regime, it is increasingly difficult to enhance the performance of silicon CMOS devices through traditional scaling approaches. Ge channel MOSFETs with high -k gate insulator become one of most attracting candidates for the use in fut...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Jhong-Sheng Wang, Nguyễn, Đăng Chiến, Sau-Mou Wu
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Sweden 2024
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3303
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Voltage-gated Sodium Channels: Structure, Function and Channelopathies
Bỡi: Chahine, Mohamed
Được phát hành: (2020)

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

SIMULATION OF DISCHARGE PROPAGATION ON INSULATOR SURFACES UNDER AC VOLTAGE
Bỡi: Đặng, Việt Hùng, et al.
Được phát hành: (2023)

Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /

SIMULATION OF DISC-HARGE PROPAGATION ON INSULATOR SURFACES UNDER AC VOLTAGE
Bỡi: Đặng, Việt Hùng, et al.
Được phát hành: (2024)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
Bỡi: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Được phát hành: (2024)

Stator insulation quality assessment for high voltage motors based on probability distributions /
Bỡi: Kim, Hee-Dong.

INVESTIGATION ON RELIABILITY OF ELECTRICAL INSULATION SYSTEMS FOR LOW-VOLTAGE MOTORS FED BY PWM INVERTERS
Bỡi: Nguyễn, Mạnh Quân, et al.
Được phát hành: (2024)

INVESTIGATION ON RELIABILITY OF ELECTRICAL INSULATION SYSTEMS FOR LOW-VOLTAGE MOTORS FED BY PWM INVERTERS
Bỡi: Nguyễn, Mạnh Quân, et al.
Được phát hành: (2024)

Gate length optimization for minimum forward voltage drop of IGBTs /

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

MOSFET theory and design
Bỡi: Warner Jr, R. M.
Được phát hành: (1999)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

DIFFERENT ROLES AND DESIGNS OF HETERO-GATE DIELECTRIC IN SINGLE- AND DOUBLE-GATE TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Hiệu thế thềm trong MOSFET
Bỡi: Lý Võ
Được phát hành: (1974)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

High-k/metal gate science and technology /
Bỡi: Guha, Supratik.

Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024)

Crossing Nuclear Thresholds
Bỡi: Johnson, Jeannie L., et al.
Được phát hành: (2020)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Insulation Handbook
Bỡi: Richard T Bynum
Được phát hành: (2001)

Insulation handbook
Bỡi: Bynum, Richard T
Được phát hành: (2001)

Insulation Handbook
Bỡi: Bynum, Richard T.
Được phát hành: (2011)

Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A biosensing system based on extracellular potential recording of ligand-gated ion channel function overexpressed in insect cells /