Effects of Edge Thinning on Fowler-Nordheim Tunneling Current of NAND-Type Flash Memory Cells
The edge thinning of tunnel oxide is numerically found to increase the Fowler-Nordheim (FN) tunneling gate current in NAND-type Flash cells during programming and erasing operations. This work explores the effect of edge thinning profile in tunnel-oxide on FN tunneling current, and examines the impa...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Taiwan (China)
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3305 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | The edge thinning of tunnel oxide is numerically found to increase the Fowler-Nordheim (FN) tunneling gate current in NAND-type Flash cells during programming and erasing operations. This work explores the effect of edge thinning profile in tunnel-oxide on FN tunneling current, and examines the impact of symmetrical and asymmetric geometry on the FN tunneling current in NAND-type Flash cells. |
|---|