Proper Determination of Tunnel Model Parameters for Indirect Band-to-Band Tunneling in Compressively Strained Si1-xGex TFETs
Tunnel field-effect transistor (TFET) has served as one of the most attractive candidates for use in future low-power integrated circuits. To explore the current-voltage characteristics of TFET devices, the Kane’s tunnel model has been widely used in numerical simulations and physical models to pred...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Nguyen Van Kien, Jui-Kai Hsia, Ting-Shiuan Kang, Chun-Hsing Shih |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3306 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Bandgap-dependent deviations of local and nonlocal from mixed band-to-band tunneling models
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Theoretical evaluation of maximum electric field approximation of direct band-to-band tunneling Kane model for low bandgap semiconductors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)