Quantum Confinement Effect in Strained-Si¬1-xGex Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistors
The energy bandgap is a key factor to determine the tunneling current in tunnel field-effect transistors (TFETs). This paper numerically investigates the effect of quantum confinement in the double-gate TFETs by evaluating the effective energy-band bandgap of the ultra-thin strained-Si1-xGex body....
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Conference paper |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
IEEE Publishing
2024
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3308 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|