Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Unique short-drain effect was reported in extremely scaled tunnel field-effect transistors. This study numerically elucidated the short-drain effect and the difference between the short-channel and short-drain effects. For the short-drain effect, the off-state barriers reduce because of decreased dr...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3310 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|