Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Scaling down the bandgap is considered as an essential approach to enhance the performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). Using two-dimensional simulations, this study examines the dependence of short-channel effects on the semiconductor bandgap in TFETs. It is shown that the short-chan...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal Article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2074 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|