Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Unique short-drain effect was reported in extremely scaled tunnel field-effect transistors. This study numerically elucidated the short-drain effect and the difference between the short-channel and short-drain effects. For the short-drain effect, the off-state barriers reduce because of decreased dr...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Yu-Hsuan Chen, Nguyễn, Đăng Chiến, Jr-Jie Tsai, Yan-Xiang Luo, Chun-Hsing Shih |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3310 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024) -
Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)