Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Metallic junction engineering and tunnel field-effect architecture are the two major techniques to resolve the power dissipation issue of future transistor technologies. This work explores the on-off switching of metal source tunnel field-effect transistors. Two prime factors, source workfunction an...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3315 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|