Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors

Based on band-to-band tunneling, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated its small subthreshold swing for energy-efficient applications. This work explores the use of negative capacitance in extremely scaled short-channel TFETs. Against conventional MOSFETs and P-i-N TFETs, the sca...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Hung-Jin Teng, Yu-Hsuan Chen, Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih
Định dạng: Conference paper
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3316
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt