Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Based on band-to-band tunneling, tunnel field-effect transistors (TFETs) have demonstrated its small subthreshold swing for energy-efficient applications. This work explores the use of negative capacitance in extremely scaled short-channel TFETs. Against conventional MOSFETs and P-i-N TFETs, the sca...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Hung-Jin Teng, Yu-Hsuan Chen, Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3316 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)