Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
Guardado en:
Autores principales: | Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát |
---|---|
Formato: | Artículo |
Lenguaje: | Vietnamese |
Publicado: |
2023
|
Materias: | |
Acceso en línea: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277 |
Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Ejemplares similares
-
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
por: Lambrechts, Wynand, et al.
Publicado: (2020) -
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2024) -
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
por: Sun, Yabin
Publicado: (2020) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2024)