Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | Vietnamese |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
بواسطة: Lambrechts, Wynand, وآخرون
منشور في: (2020) -
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2024) -
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
بواسطة: Sun, Yabin
منشور في: (2020) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2024)