Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Codi QR

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autors principals:	Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát
Format:	Article
Idioma:	Vietnamese
Publicat:	2023
Matèries:	Khoa học (Đại học Cần Thơ)
Accés en línia:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
per: Lambrechts, Wynand, et al.
Publicat: (2020)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
per: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicat: (2024)

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
per: Sun, Yabin
Publicat: (2020)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
per: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicat: (2023)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
per: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicat: (2024)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
per: Nguyễn, Thị Thu
Publicat: (2018)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
per: Nguyễn Thị Thu.
Publicat: (2016)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
per: Nguyễn Thị Thu.
Publicat: (2016)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
per: Chun-Hsing Shih, et al.
Publicat: (2024)

The new GE :
per: Slater, Robert
Publicat: (1993)

Heavy cyclopropenes of Si, Ge, SnA new challenge in the chemistry of group 14 elements /
per: Sekiguchi, Akira.

Hiệu ứng từ nhiệt trong các hợp kim Cđ8Cò, Gd5(Mn0,3Ge0,2Si0,5)4 và Gd5(Mn0,4Ge0,1Si0,3)4 /
per: Hoàng Đức Anh.

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
per: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
per: Armando lencastre
Publicat: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
per: Rene Cluzel
Publicat: (1944)

Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
per: Van, Trung Pham, et al.
Publicat: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2024)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
per: Nguyễn Văn Minh.

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
per: Hutchinson, Brian
Publicat: (2013)

Study of the synthesis of SiO2-TiO2-GeO2 gel glass for hollow waveguide application in CO2 laser delivery /

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
per: Rath & Strong
Publicat: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
per: R. Oriol
Publicat: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
per: Goulet Jean
Publicat: (1986)

Cours De Mathe'matiques Spe'ciales. Ge'ometrie Descriptive /
per: G. Cagnac
Publicat: (1951)

Les Mathematiques en terminales C et E .Ge'ometrie /
per: B. Cardouat
Publicat: (1968)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
per: Chun-Hsing Shih, et al.
Publicat: (2024)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
per: Nguyễn Hồng Quang.

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
per: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Publicat: (2024)

Probing the mobility of lithium in LISICON : Li+/H+ exchange studies in Li2ZnGeO4 and Li2+2xZn1-xGeO4 /
per: Sebastian, Litty.

Technologie Ge'ne'rale Des Metier De la Me'canique /
per: Robert Pajot
Publicat: (1970)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
per: Trần, Thị Diễm
Publicat: (2011)

Cấu trúc và tính chất quang phổ của Cluster CoGe4-/0 Luận văn thạc sĩ Hóa học. Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý. Mã số: 8 44 01 19
per: Ngô, Thị Lý
Publicat: (2019)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
per: Lê, Thị Thanh Trúc
Publicat: (2009)

Chẩn đoán lỗi máy biến áp sử dụng GeNIe Modeler
per: Nguyễn, Thanh Sơn
Publicat: (2023)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)