Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

QR-Code

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát
Format:	Artikel
Sprache:	Vietnamese
Veröffentlicht:	2023
Schlagworte:	Khoa học (Đại học Cần Thơ)
Online Zugang:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ähnliche Einträge

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
von: Lambrechts, Wynand, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
von: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
von: Sun, Yabin
Veröffentlicht: (2020)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
von: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
von: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
von: Nguyễn, Thị Thu
Veröffentlicht: (2018)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
von: Nguyễn Thị Thu.
Veröffentlicht: (2016)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
von: Nguyễn Thị Thu.
Veröffentlicht: (2016)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
von: Chun-Hsing Shih, et al.
Veröffentlicht: (2024)

The new GE :
von: Slater, Robert
Veröffentlicht: (1993)

Heavy cyclopropenes of Si, Ge, SnA new challenge in the chemistry of group 14 elements /
von: Sekiguchi, Akira.

Hiệu ứng từ nhiệt trong các hợp kim Cđ8Cò, Gd5(Mn0,3Ge0,2Si0,5)4 và Gd5(Mn0,4Ge0,1Si0,3)4 /
von: Hoàng Đức Anh.

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2024)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
von: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
von: Armando lencastre
Veröffentlicht: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
von: Rene Cluzel
Veröffentlicht: (1944)

Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
von: Van, Trung Pham, et al.
Veröffentlicht: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
von: Lê, Thị Giang, et al.
Veröffentlicht: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
von: Lê, Thị Giang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
von: Nguyễn Văn Minh.

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
von: Hutchinson, Brian
Veröffentlicht: (2013)

Study of the synthesis of SiO2-TiO2-GeO2 gel glass for hollow waveguide application in CO2 laser delivery /

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
von: Rath & Strong
Veröffentlicht: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
von: R. Oriol
Veröffentlicht: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
von: Goulet Jean
Veröffentlicht: (1986)

Cours De Mathe'matiques Spe'ciales. Ge'ometrie Descriptive /
von: G. Cagnac
Veröffentlicht: (1951)

Les Mathematiques en terminales C et E .Ge'ometrie /
von: B. Cardouat
Veröffentlicht: (1968)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
von: Chun-Hsing Shih, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
von: Nguyễn Hồng Quang.

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
von: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Probing the mobility of lithium in LISICON : Li+/H+ exchange studies in Li2ZnGeO4 and Li2+2xZn1-xGeO4 /
von: Sebastian, Litty.

Technologie Ge'ne'rale Des Metier De la Me'canique /
von: Robert Pajot
Veröffentlicht: (1970)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
von: Trần, Thị Diễm
Veröffentlicht: (2011)

Cấu trúc và tính chất quang phổ của Cluster CoGe4-/0 Luận văn thạc sĩ Hóa học. Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý. Mã số: 8 44 01 19
von: Ngô, Thị Lý
Veröffentlicht: (2019)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
von: Lê, Thị Thanh Trúc
Veröffentlicht: (2009)

Chẩn đoán lỗi máy biến áp sử dụng GeNIe Modeler
von: Nguyễn, Thanh Sơn
Veröffentlicht: (2023)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023)