Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
Enregistré dans:
Auteurs principaux: | Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát |
---|---|
Format: | Article |
Langue: | Vietnamese |
Publié: |
2023
|
Sujets: | |
Accès en ligne: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277 |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documents similaires
-
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
par: Lambrechts, Wynand, et autres
Publié: (2020) -
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
par: Nguyễn, Đăng Chiến, et autres
Publié: (2024) -
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
par: Sun, Yabin
Publié: (2020) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
par: Nguyễn, Đăng Chiến, et autres
Publié: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
par: Nguyễn, Đăng Chiến, et autres
Publié: (2024)